三星西安12英寸闪存芯片二期第二阶段项目开工，将用于投产100+层3D NAND
12月25日，三星西安（中国）12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式开工，将投资80亿美元用于新建工厂，预计于2021年下半年竣工，将用于投产其先进的100+层3D NAND。
三星西安二阶段项目开工，中国战略地位升级！图片来源：网络
据西安晚报消息，三星在2012年落户西安，2013年投资108亿美元，新建一期项目，并于2014年建成投产，满载月产能12万片。二期项目分为两个阶段，总投资150亿美元，其中第一阶段投资约70亿美元，于2018年新建，将在2020年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工，项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。
三星新厂建成后，或投产100+层3D NAND
在3D NAND技术方面，三星2019年积极提高96层3D NAND生产比重，广泛应用于SSD产品中，并在6月份宣布推出第六代V-NAND（128层256Gb 3D TLC NAND），8月份已基于该技术批量生产250GB SATA SSD，第四季度实现了第六代128层512Gb TLC 3D NAND的量产，计划于2020年投入到SSD等市场应用，且正在针对5年内达到500层或更多层的堆栈进行研究。
三星V-NAND技术规划
根据三星3D技术发展规划和三星西安二期二阶段的建厂进度，预计投资80亿美元新建的工厂将用于生产128层或更高的3D NAND，用于满足不断增长的存储需求。
与西安二期同步建设的还有韩国的平泽生产基地，与西安生产基地一样，平泽工厂也分为两期，一期工厂于2015年兴建，已在2017年投产，分为NAND Flash和DRAM产线，正在新建的平泽2号工厂与一期工厂的规划也大体一致，规划了NAND Flash和DRAM生产线，计划在2020上半年运营，大规模投产时间待定。
重要的市场地位，中国有华为，更是最大的5G市场
中国是全球重要的存储应用市场，尤其是华为将冲刺全球手机霸主地位，以及5G手机的快速发展，中国市场每年至少要消耗三成以上的NAND Flash，需求量大。
目前，华为已完成了2019年全球出货量2.3亿部的目标，在中国的市场份额也接近50%，已然超过苹果iPhone成为了全球第二大手机厂商，预计最快在2021年超三星，称霸全球，对于存储芯片的采购需求自然不少。
受美国“禁令”的影响，作为华为存储芯片重要供应商的美光曾一度停止供货，虽然美光在最新财报中表示已获得了对华为所有的许可证，以及为移动设备和服务器提供新产品，但华为去美化已然是不可逆的事实。
据韩媒报道，华为2019年在韩采购额超过13兆韩元（约合111.9亿美元），较去年的12兆韩元（约合103亿美元）小幅增长，2020年还将加大在韩投资采购力度。华为与韩系增加采购合作，将可避免再次受到“禁令”的影响，而三星扩大在中国西安NAND Flash生产的投资，将可更好的加强合作，快速应对需求变化。
另外，据中国信通院数据，2019年11月中国5G手机出货量突破500万部大关，2019年全年亦可破千万销量。更重要的是，华为、OPPO、VIVO等推出的5G手机新品所搭载的容量，LPDDR基本从8GB起跳，Flash几乎从128GB起跳，再加上数据中心、服务器等需求强劲，将对NAND Flash的需求不断增加。
日韩贸易战持续，对于三星而言，中国是避风港？
2019年7月初，日本对韩国实施半导体关键原材料出口限制，要求相关项目必须逐一取得许可，一度导致8月日本对韩国氟化氢出口为零，日韩贸易摩擦不断升级。据日本经济产业省最新消息称，日本现已放宽了部分半导体材料对韩出口管制，日方将允许特定企业间的交易适用有效期为三年。
虽然日本对韩国出口的限制放宽，但潜在的风险依然存在。因为主要涉及的是半导体领域的关键材料，所以韩国企业包括三星、SK海力士等纷纷加大原材料的本土化生产，以及转向中国企业寻求替代方案。无论是对于三星自身而言，还是对于中国经济以及中国企业而言，三星扩大在中国的投资，都起到了互利的作用。
对于目前NAND Flash市场的影响，由于数据中心需求强劲，以及海外市场需求稳定，原厂选择性的供货，部分市场或多或少的出现了供应紧张的情况，NAND Flash价格也在持续涨价，但三星建厂的投资计划短时间内还不足以影响市场供需关系，后续行情发展仍需密切关注原厂供货情况，不过大部分业内人士对2020年存储产业发展持乐观态度。
三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。
其中，二期项目第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户。
2017年8月30日，三星电子株式会社与陕西省政府签署了投资合作协议，决定在西安高新综合保税区内建设三星（中国）半导体有限公司存储芯片二期项目。
今年12月10日，三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。
2018年3月28日，三星电子高端存储芯片二期项目正式启动，目前，项目前期基础设施建设和厂房建设已经完成，即将进入内部装修和机电设备安装阶段。
三星（中国）半导体有限公司董事长任伯均表示，二期项目建成后，三星（中国）半导体公司将成为世界领先的闪存芯片生产基地。
据此前西安日报报道，目前“西安造”的高端存储芯片占到整个三星同类产品的37%，占到全世界同类产品的13%。
